Transistor bipolaire BDT31

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 3 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 10 à 50
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDT31 est le BDT32.Vous pouvez remplacer le transistor BDT31 par BDT31A, BDT31B, TIP31, TIP31A, TIP31AG, TIP31B, TIP31BG ou TIP31G.