Transistor bipolaire BD250B

Caractéristiques électriques du transistor BD250B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -90 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -25 A
  • Dissipation de puissance maximum: 125 W
  • Gain de courant (hfe): 25
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du BD250B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BD250B

Le transistor NPN complémentaire du BD250B est le BD249B.

Substituts et équivalents pour le transistor BD250B

Vous pouvez remplacer le transistor BD250B par 2SB1231, 2SB1231-P, 2SB1231-Q, 2SB1232, 2SB1232-P, 2SB1232-Q ou BD250C.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-220 package, BD244B: 65 watts
  • TO-3P package, BD245A: 80 watts
  • TO-3P package, BD246: 80 watts
  • TO-3P package, BD246C: 80 watts
  • TO-3P package, BD249A: 125 watts
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