Transistor bipolaire 2SB1231-Q
Caractéristiques électriques du transistor 2SB1231-Q
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
- Tension collecteur-base maximum: -110 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -25 A
- Dissipation de puissance maximum: 120 W
- Gain de courant (hfe): 70 à 140
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SB1231-Q
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB1231-Q
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1231-Q
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