Transistor bipolaire 2SB1232-P

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -110 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -40 A
• Dissipation de puissance maximum: 150 W
• Gain de courant (h_fe): 50 à 100
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1232-P peut avoir un gain en courant continu de 50 à 100. Le gain en courant continu du 2SB1232 est compris entre 50 à 140, celui du 2SB1232-Q entre 70 à 140.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1232-P peut n'être marqué que B1232-P.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1232-P est le 2SD1842-P.