Transistor bipolaire BDP955

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
• Tension collecteur-base maximum: 140 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 3 A
• Dissipation de puissance maximum: 3 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 475
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: SOT-223

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor BDP955 est marqué "BDP955".Le transistor PNP complémentaire du BDP955 est le BDP956.