Transistor bipolaire BC859C

Caractéristiques électriques du transistor BC859C

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.25 W
  • Gain de courant (hfe): 420 à 800
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 1 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du BC859C

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC859C peut avoir un gain en courant continu de 420 à 800. Le gain en courant continu du BC859 est compris entre 110 à 800, celui du BC859A entre 110 à 220, celui du BC859B entre 200 à 450.

Complémentaire du transistor BC859C

Le transistor NPN complémentaire du BC859C est le BC849C.

Substituts et équivalents pour le transistor BC859C

Vous pouvez remplacer le transistor BC859C par 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, BC857, BC857C, BC858, BC858C, BC860, BC860C, FMMT591A, FMMTA55, KST55, MMBTA55 ou SMBTA55.
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