Transistor bipolaire BC850B

Caractéristiques électriques du transistor BC850B

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 50 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.25 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 450
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 1.2 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du BC850B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC850B peut avoir un gain en courant continu de 200 à 450. Le gain en courant continu du BC850 est compris entre 110 à 800, celui du BC850A entre 110 à 220, celui du BC850C entre 420 à 800.

Complémentaire du transistor BC850B

Le transistor PNP complémentaire du BC850B est le BC860B.

Substituts et équivalents pour le transistor BC850B

Vous pouvez remplacer le transistor BC850B par 2SC1623, 2SC2412, 2SC2712, 2SC3441, 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, 2SC4738, 2SD601A, 2STR1160, BC817, BC846, BC846B, BC847, BC847B, BCV72, BCW66, BCX19, FMMT619, FMMT620, FMMTA05, FMMTA06, KSC1623, KST05, KST06, KTC3875, KTC3875S, MMBT100, MMBT2484, MMBT5210, MMBTA05, MMBTA06, PMBTA06, SMBTA05 ou SMBTA06.
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