Transistor bipolaire MMBT5210
Caractéristiques électriques du transistor MMBT5210
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
- Tension collecteur-base maximum: 50 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
- Gain de courant (hfe): 200 à 600
- Fréquence de transition minimum: 30 MHz
- Figure de bruit maximum: 2 dB
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-23
- These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
Brochage du MMBT5210
Marquage
Substituts et équivalents pour le transistor MMBT5210
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