Transistor bipolaire MMBT5210

Caractéristiques électriques du transistor MMBT5210

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 50 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 600
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Figure de bruit maximum: 2 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23
  • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Brochage du MMBT5210

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor MMBT5210 est marqué "3M".

Substituts et équivalents pour le transistor MMBT5210

Vous pouvez remplacer le transistor MMBT5210 par 2SC1623, 2SC2712, 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, 2SC4738, BC846, FMMT619, FMMT620, FMMTA05, FMMTA06, KSC1623, KST05, KST06, KTC3875, KTC3875S, MMBTA05, MMBTA06, PMBTA06, SMBTA05 ou SMBTA06.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com