Transistor bipolaire 2SD867
Caractéristiques électriques du transistor 2SD867
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 110 V
- Tension collecteur-base maximum: 130 V
- Tension émetteur-base maximum: 7 V
- Courant collecteur continu maximum: 10 A
- Dissipation de puissance maximum: 100 W
- Gain de courant (hfe): 50 à 200
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +175 °C
- Boîtier: TO-3
Brochage du 2SD867
Marquage
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD867
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com