Transistor bipolaire 2SD555

Caractéristiques électriques du transistor 2SD555

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 200 V
  • Tension collecteur-base maximum: 200 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 200 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SD555

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD555 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 200. Le gain en courant continu du 2SD555-Q est compris entre 100 à 200, celui du 2SD555-R entre 60 à 120, celui du 2SD555-S entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD555 peut n'être marqué que D555.

Complémentaire du transistor 2SD555

Le transistor PNP complémentaire du 2SD555 est le 2SB600.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD555

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD555 par 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SD746A, 2SD753, BUX48, BUX80, BUY69A, BUY69B, BUY69C, BUY70A, BUY70B ou BUY70C.
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