Transistor bipolaire 2SD1712-P

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1712-P

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 60 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SD1712-P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1712-P peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD1712 est compris entre 60 à 200, celui du 2SD1712-Q entre 60 à 120, celui du 2SD1712-S entre 80 à 160.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1712-P peut n'être marqué que D1712-P.

Complémentaire du transistor 2SD1712-P

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1712-P est le 2SB1157-P.

Version SMD du transistor 2SD1712-P

Le BDP953 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD1712-P.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1712-P

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1712-P par 2SC2681, 2SC2681-Q, 2SD1485, 2SD1485-P, 2SD1486, 2SD1486-P, 2SD1487, 2SD1487-P, 2SD1488, 2SD1488-P, 2SD1713, 2SD1713-P, 2SD1714, 2SD1714-P, 2SD1715, 2SD1715-P, 2SD1716 ou 2SD1716-P.
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