Caractéristiques électriques du transistor 2SB1157-P
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
Tension collecteur-base maximum: -100 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -5 A
Dissipation de puissance maximum: 60 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 20 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-3PF
Brochage du 2SB1157-P
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB1157-P peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1157 est compris entre 60 à 200, celui du 2SB1157-Q entre 60 à 120, celui du 2SB1157-S entre 80 à 160.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1157-P peut n'être marqué que B1157-P.
Complémentaire du transistor 2SB1157-P
Le transistor NPN complémentaire du 2SB1157-P est le 2SD1712-P.
Version SMD du transistor 2SB1157-P
Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1157-P.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1157-P