Transistor bipolaire 2SD1289-P

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 80 W
• Gain de courant (h_fe): 160 à 320
• Fréquence de transition minimum: 60 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD1289-P peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SD1289 est compris entre 60 à 320, celui du 2SD1289-Q entre 100 à 200, celui du 2SD1289-R entre 60 à 120.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1289-P peut n'être marqué que D1289-P.Le transistor PNP complémentaire du 2SD1289-P est le 2SB966-P.Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1289-P par 2SC2579, 2SC2580, 2SC2581, 2SC4278, 2SC4278-F, 2SC4652 ou 2SC4652-F.