Transistor bipolaire 2SD1253A-P

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1253A-P

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252

Brochage du 2SD1253A-P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1253A-P peut avoir un gain en courant continu de 120 à 250. Le gain en courant continu du 2SD1253A est compris entre 40 à 250, celui du 2SD1253A-Q entre 70 à 150, celui du 2SD1253A-R entre 40 à 90.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1253A-P peut n'être marqué que D1253A-P.

Complémentaire du transistor 2SD1253A-P

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1253A-P est le 2SB930A-P.

Version SMD du transistor 2SD1253A-P

Le BDP951 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD1253A-P.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1253A-P

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1253A-P par 2SD1255, 2SD1256, 2SD1257 ou 2SD1257A.
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