Caractéristiques électriques du transistor 2SC2682Q
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 180 V
Tension collecteur-base maximum: 180 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
Dissipation de puissance maximum: 10 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 200 MHz
Figure de bruit maximum: 4 dB
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-126
Brochage du 2SC2682Q
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SC2682Q peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SC2682 est compris entre 100 à 320, celui du 2SC2682P entre 160 à 320.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SC2682Q peut n'être marqué que C2682Q.
Complémentaire du transistor 2SC2682Q
Le transistor PNP complémentaire du 2SC2682Q est le 2SA1142Q.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SC2682Q
