Transistor bipolaire BD410

Caractéristiques électriques du transistor BD410

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 325 V
  • Tension collecteur-base maximum: 500 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 30 à 240
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +125 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du BD410

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
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