Transistor bipolaire 2SB929A-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SB929A-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 35 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 150
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252

Brochage du 2SB929A-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB929A-Q peut avoir un gain en courant continu de 70 à 150. Le gain en courant continu du 2SB929A est compris entre 70 à 250.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB929A-Q peut n'être marqué que B929A-Q.

Complémentaire du transistor 2SB929A-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SB929A-Q est le 2SD1252A-Q.

Version SMD du transistor 2SB929A-Q

Le BDP952 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB929A-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB929A-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB929A-Q par 2SB930A, 2SB930A-Q ou KTA1042D.
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