Transistor bipolaire 2SB870-P

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -130 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -7 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 130 à 260
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB870-P peut avoir un gain en courant continu de 130 à 260. Le gain en courant continu du 2SB870 est compris entre 60 à 260, celui du 2SB870-Q entre 90 à 180, celui du 2SB870-R entre 60 à 120.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB870-P peut n'être marqué que B870-P.Le transistor NPN complémentaire du 2SB870-P est le 2SD866-P.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB870-P par 2SB946, 2SB946-P, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD810, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.