Transistor bipolaire 2SB772P

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
• Tension collecteur-base maximum: -40 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -3 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 160 à 320
• Fréquence de transition minimum: 80 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB772P peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SB772 est compris entre 60 à 400, celui du 2SB772E entre 200 à 400, celui du 2SB772GR entre 200 à 400, celui du 2SB772O entre 100 à 200, celui du 2SB772Q entre 100 à 200, celui du 2SB772R entre 60 à 120, celui du 2SB772Y entre 160 à 320.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB772P peut n'être marqué que B772P.Le transistor NPN complémentaire du 2SB772P est le 2SD882P.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB772P par 2SB1143, 2SB1165, 2SB1166, 2SB743, 2SB743-P, 2SB744, 2SB744-Y, 2SB744A, 2SB744A-Y, 2SB986, BD132, BD186, BD188, BD190, KSB744, KSB744-Y, KSB744A, KSB744A-Y, KSB772, KSB772-Y, KSH772, KSH772-Y, KTB772, KTB772-Y, MJE232, MJE235 ou MJE370.