Transistor bipolaire 2SB766-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SB766-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 85 à 170
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SB766-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB766-Q peut avoir un gain en courant continu de 85 à 170. Le gain en courant continu du 2SB766 est compris entre 85 à 340, celui du 2SB766-R entre 120 à 240, celui du 2SB766-S entre 170 à 340.

Marquage

Le transistor 2SB766-Q est marqué "AQ".

Complémentaire du transistor 2SB766-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SB766-Q est le 2SD874-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB766-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB766-Q par 2DA1213, 2SA1213, 2SB766A, 2SB766A-Q ou BCX51.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com