Transistor bipolaire 2SB716-E

Caractéristiques électriques du transistor 2SB716-E

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.05 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
  • Gain de courant (hfe): 400 à 800
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SB716-E

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB716-E peut avoir un gain en courant continu de 400 à 800. Le gain en courant continu du 2SB716 est compris entre 250 à 800, celui du 2SB716-D entre 250 à 500.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB716-E peut n'être marqué que B716-E.

Complémentaire du transistor 2SB716-E

Le transistor NPN complémentaire du 2SB716-E est le 2SD756-E.

Version SMD du transistor 2SB716-E

Le FJV992 (SOT-23) et FJV992-E (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SB716-E.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB716-E

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB716-E par 2SA1016K, 2SA1082, 2SA1082-E, 2SA1085, 2SA1085-E, 2SA1285, 2SA1285-G, 2SA1285A, 2SA872A, 2SA872A-E, 2SA992, 2SA992E, KSA992 ou KSA992E.
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