Transistor bipolaire FJV992-E
Caractéristiques électriques du transistor FJV992-E
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
- Tension collecteur-base maximum: -120 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.05 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.3 W
- Gain de courant (hfe): 400 à 800
- Fréquence de transition minimum: 50 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular 2SA992E transistor
Brochage du FJV992-E
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor FJV992-E
Transistor FJV992-E en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor FJV992-E
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