Transistor bipolaire 2SB696-E

Caractéristiques électriques du transistor 2SB696-E

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -150 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 80 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -40 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SB696-E

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB696-E peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB696 est compris entre 40 à 320, celui du 2SB696-C entre 40 à 80, celui du 2SB696-D entre 60 à 120, celui du 2SB696-F entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB696-E peut n'être marqué que B696-E.

Complémentaire du transistor 2SB696-E

Le transistor NPN complémentaire du 2SB696-E est le 2SD732-E.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB696-E

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB696-E par 2SA1007, 2SA1007-Q, 2SA1007A, 2SA1007A-Q, 2SA1041, 2SA1043, 2SA1072, 2SA1072A, 2SA1073, 2SA745A, 2SA747, 2SA747A, 2SA908, 2SA909, 2SB600, 2SB600-Q, 2SB697, 2SB697-E, 2SB697K, 2SB697K-E, 2SB705, 2SB705-Q, 2SB705A, 2SB705A-Q, 2SB705B, 2SB705B-Q, 2SB706, 2SB706-Q, 2SB706A, 2SB706A-Q, 2SB722, 2SB723 ou 2SB723-C.
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