Transistor bipolaire 2SB598-G

Caractéristiques électriques du transistor 2SB598-G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
  • Tension collecteur-base maximum: -25 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.6 W
  • Gain de courant (hfe): 280 à 560
  • Fréquence de transition minimum: 180 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SB598-G

Le 2SB598-G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB598-G peut avoir un gain en courant continu de 280 à 560. Le gain en courant continu du 2SB598 est compris entre 60 à 560, celui du 2SB598-D entre 60 à 120, celui du 2SB598-E entre 100 à 200, celui du 2SB598-F entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB598-G peut n'être marqué que B598-G.

Complémentaire du transistor 2SB598-G

Le transistor NPN complémentaire du 2SB598-G est le 2SD545-G.

Version SMD du transistor 2SB598-G

Le BC808 (SOT-23), BC808-40 (SOT-23), BC808-40W (SOT-323) et BC808W (SOT-323) est la version SMD du transistor 2SB598-G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB598-G

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB598-G par 2N4953, 2N4954, 2SB1116, 2SB1229, 2SB1229-U, 2SB892, 2SB892-U, 2SB985, 2SB985U, KSB1116 ou KSB1116S.
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