Transistor bipolaire 2SB562-B

Caractéristiques électriques du transistor 2SB562-B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -20 V
  • Tension collecteur-base maximum: -25 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 85 à 170
  • Fréquence de transition minimum: 350 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SB562-B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB562-B peut avoir un gain en courant continu de 85 à 170. Le gain en courant continu du 2SB562 est compris entre 85 à 240, celui du 2SB562-C entre 120 à 240.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB562-B peut n'être marqué que B562-B.

Complémentaire du transistor 2SB562-B

Le transistor NPN complémentaire du 2SB562-B est le 2SD468-B.

Version SMD du transistor 2SB562-B

Le 2SB766 (SOT-89), 2SB766-Q (SOT-89), BCP69 (SOT-223), BCP69-10 (SOT-223), BCX69 (SOT-89) et BCX69-10 (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SB562-B.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB562-B

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB562-B par 2N4951, 2N4954, 2SA1534, 2SA1534-Q, 2SA683, 2SA683-Q, 2SB598, 2SB621, 2SB621-Q, 2SB621A, 2SB621A-Q, KSB564AC, KSB811 ou KTA1283.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com