Transistor bipolaire 2SB1559-P

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1559-P

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 80 W
  • Gain de courant (hfe): 6500 à 20000
  • Fréquence de transition minimum: 65 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SB1559-P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1559-P peut avoir un gain en courant continu de 6500 à 20000. Le gain en courant continu du 2SB1559 est compris entre 5000 à 30000, celui du 2SB1559-O entre 5000 à 12000, celui du 2SB1559-Y entre 15000 à 30000.

Equivalent circuit

2SB1559-P equivalent circuit

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1559-P peut n'être marqué que B1559-P.

Complémentaire du transistor 2SB1559-P

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1559-P est le 2SD2389-P.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1559-P

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1559-P par 2SB1560, 2SB1560-P ou BDV66D.
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