Caractéristiques électriques du transistor 2SB1230-Q
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
Tension collecteur-base maximum: -110 V
Tension émetteur-base maximum: -6 V
Courant collecteur continu maximum: -15 A
Dissipation de puissance maximum: 100 W
Gain de courant (hfe): 70 à 140
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SB1230-Q
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB1230-Q peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SB1230 est compris entre 50 à 140, celui du 2SB1230-P entre 50 à 100.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1230-Q peut n'être marqué que B1230-Q.
Complémentaire du transistor 2SB1230-Q
Le transistor NPN complémentaire du 2SB1230-Q est le 2SD1840-Q.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1230-Q