Transistor bipolaire 2SB1155

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -130 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 80 W
• Gain de courant (h_fe): 90 à 260
• Fréquence de transition minimum: 25 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3PF

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1155 peut avoir un gain en courant continu de 90 à 260. Le gain en courant continu du 2SB1155-P est compris entre 130 à 260, celui du 2SB1155-Q entre 90 à 180.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1155 peut n'être marqué que B1155.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1155 est le 2SD1706.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1155 par 2SB1156.