Transistor bipolaire 2SB1151-M
Caractéristiques électriques du transistor 2SB1151-M
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -7 V
- Courant collecteur continu maximum: -5 A
- Dissipation de puissance maximum: 20 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 200
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
Brochage du 2SB1151-M
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB1151-M
Version SMD du transistor 2SB1151-M
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1151-M
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com