Transistor bipolaire 2SA1127-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SA1127-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -55 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
  • Gain de courant (hfe): 180 à 360
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SA1127-R

Le 2SA1127-R est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA1127-R peut avoir un gain en courant continu de 180 à 360. Le gain en courant continu du 2SA1127 est compris entre 180 à 700, celui du 2SA1127-S entre 260 à 520, celui du 2SA1127-T entre 360 à 700.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1127-R peut n'être marqué que A1127-R.

Complémentaire du transistor 2SA1127-R

Le transistor NPN complémentaire du 2SA1127-R est le 2SC2634-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1127-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA1127-R par 2SA1450, 2SA935, 2SA935-R, 2SA953, 2SA954, 2SB1116A, 2SB560, 2SB726, 2SB726-R, KSA708C ou KSB1116A.
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