Transistor bipolaire 2N6470
Caractéristiques électriques du transistor 2N6470
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
- Tension collecteur-base maximum: 50 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 15 A
- Dissipation de puissance maximum: 125 W
- Gain de courant (hfe): 20 à 150
- Fréquence de transition minimum: 4 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
- Boîtier: TO-3
Brochage du 2N6470
Substituts et équivalents pour le transistor 2N6470
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