Transistor bipolaire BDW51

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
• Tension collecteur-base maximum: 45 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 15 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 150
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDW51 est le BDW52.Vous pouvez remplacer le transistor BDW51 par 2N6471, 2N6472, KD502 ou KD503.