Transistor bipolaire 2N6339G

Caractéristiques électriques du transistor 2N6339G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
  • Tension collecteur-base maximum: 140 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 25 A
  • Dissipation de puissance maximum: 200 W
  • Gain de courant (hfe): 30 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 40 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3
  • Le 2N6339G est la version sans plomb du transistor 2N6339

Brochage du 2N6339G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6339G

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6339G par 2N6339, 2N6340, 2N6340G, 2N6341 ou 2N6341G.
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