Transistor bipolaire 2N6339

Caractéristiques électriques du transistor 2N6339

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
  • Tension collecteur-base maximum: 140 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 25 A
  • Dissipation de puissance maximum: 200 W
  • Gain de courant (hfe): 30 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 40 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N6339

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6339

Le transistor PNP complémentaire du 2N6339 est le 2N6437.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6339

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6339 par 2N6339G, 2N6340, 2N6340G, 2N6341 ou 2N6341G.

Version sans plomb

Le transistor 2N6339G est la version sans plomb du 2N6339.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com