Transistor bipolaire 2N6341G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
• Tension collecteur-base maximum: 180 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 25 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 120
• Fréquence de transition minimum: 40 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le 2N6341G est la version sans plomb du transistor 2N6341

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6341G par 2N6341.