Transistor bipolaire 2N6318

Caractéristiques électriques du transistor 2N6318

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 90 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N6318

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6318

Le transistor NPN complémentaire du 2N6318 est le 2N6316.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6318

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6318 par 2N5872, 2N5876, 2N5880, 2N5884, 2N5884G, 2N6247, 2N6248, MJ14003, MJ14003G ou MJ2941.
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