Transistor bipolaire 2N5876

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -10 A
• Dissipation de puissance maximum: 150 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 100
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N5876 est le 2N5878.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5876 par 2N5880, 2N5884, 2N5884G, 2N6247, 2N6248, MJ14003, MJ14003G ou MJ2941.