Transistor bipolaire 2N5878

Caractéristiques électriques du transistor 2N5878

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N5878

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5878

Le transistor PNP complémentaire du 2N5878 est le 2N5876.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5878

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5878 par 2N5038, 2N5038G, 2N5039, 2N5671, 2N5672, 2N5882, 2N5886, 2N5886G, 2N6472, KD503, MJ14002, MJ14002G ou MJ2841.
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