Transistor bipolaire 2N5869

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 5 A
• Dissipation de puissance maximum: 87.5 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 100
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N5869 est le 2N5867.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5869 par 2N5039, 2N5671, 2N5672, 2N5870, 2N5873, 2N5874, 2N5877, 2N5878, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6315, 2N6316, 2N6471, 2N6472, 2SC1618, 2SC1619, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ2840 ou MJ2841.