Transistor bipolaire 2N6315

Caractéristiques électriques du transistor 2N6315

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 90 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N6315

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6315

Le transistor PNP complémentaire du 2N6315 est le 2N6317.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6315

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6315 par 2N5039, 2N5671, 2N5672, 2N5873, 2N5874, 2N5877, 2N5878, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6316, 2N6471, 2N6472, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ2840 ou MJ2841.
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