Transistor bipolaire 2N5193G

Caractéristiques électriques du transistor 2N5193G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 25 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Le 2N5193G est la version sans plomb du transistor 2N5193

Brochage du 2N5193G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5193G

Le transistor NPN complémentaire du 2N5193G est le 2N5190G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5193G

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5193G par 2N5193, 2N5194, 2N5194G, MJE232, MJE235 ou MJE252.
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