Transistor bipolaire 2N5193

Caractéristiques électriques du transistor 2N5193

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 25 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2N5193

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5193

Le transistor NPN complémentaire du 2N5193 est le 2N5190.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5193

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5193 par 2N5193G, 2N5194, 2N5194G, MJE232, MJE235 ou MJE252.

Version sans plomb

Le transistor 2N5193G est la version sans plomb du 2N5193.
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