Transistor bipolar S8050B

Características del transistor S8050B

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 85 a 160
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del S8050B

El S8050B se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor S8050B puede tener una ganancia de corriente de 85 a 160. La ganancia del S8050 estará en el rango de 85 a 300, para el S8050C estará en el rango de 120 a 200, para el S8050D estará en el rango de 160 a 300.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del S8050B es el S8550B.

Sustitución y equivalentes para el transistor S8050B

Puede sustituir el S8050B por el 2SD471A, KTC9013, MPS3414, MPS3416, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6560, MPS6560G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPS8050B, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, S9013, SS8050 o SS8050B.
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