Transistor bipolar MPS8050B

Características del transistor MPS8050B

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 85 a 160
  • Frecuencia máxima de trabajo: 190 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del MPS8050B

El MPS8050B se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor MPS8050B puede tener una ganancia de corriente de 85 a 160. La ganancia del MPS8050 estará en el rango de 85 a 300, para el MPS8050C estará en el rango de 120 a 200, para el MPS8050D estará en el rango de 160 a 300.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MPS8050B es el MPS8550B.

Versión SMD del transistor MPS8050B

El MPS8050S (SOT-23) y MPS8050S-B (SOT-23) es la versión SMD del transistor MPS8050B.

Sustitución y equivalentes para el transistor MPS8050B

Puede sustituir el MPS8050B por el MPS650, MPS650G, SS8050 o SS8050B.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com