Transistor bipolar S8050

Características del transistor S8050

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 85 a 300
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del S8050

El S8050 se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor S8050 puede tener una ganancia de corriente de 85 a 300. La ganancia del S8050B estará en el rango de 85 a 160, para el S8050C estará en el rango de 120 a 200, para el S8050D estará en el rango de 160 a 300.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del S8050 es el S8550.

Sustitución y equivalentes para el transistor S8050

Puede sustituir el S8050 por el 2SD471A, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, S9013 o SS8050.
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