Transistor bipolar BDP956

Características del transistor BDP956

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -140 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 3 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 475
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-223

Diagrama de pines del BDP956

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDP956 es el BDP955.
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