Transistor bipolar MMBT100
Características del transistor MMBT100
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 45 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 75 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 0.5 A
- Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 450
- Frecuencia máxima de trabajo: 250 MHz
- Figura de ruido máxima: 5 dB
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular PN100 transistor
Diagrama de pines del MMBT100
Marcado
Transistor PNP complementario
Transistor MMBT100 en envase TO-92
Sustitución y equivalentes para el transistor MMBT100
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