Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
Encapsulado: TO-92S
Diagrama de pines del KSB810-Y
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Clasificación de hFE
El transistor KSB810-Y puede tener una ganancia de corriente de 120 a 240. La ganancia del KSB810 estará en el rango de 70 a 400, para el KSB810-G estará en el rango de 200 a 400, para el KSB810-O estará en el rango de 70 a 140.
Transistor NPN complementario
El transistor NPN complementario del KSB810-Y es el KSD1020-Y.