Transistor bipolar KSB810-O

Características del transistor KSB810-O

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -30 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 140
  • Frecuencia máxima de trabajo: 160 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92S

Diagrama de pines del KSB810-O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSB810-O puede tener una ganancia de corriente de 70 a 140. La ganancia del KSB810 estará en el rango de 70 a 400, para el KSB810-G estará en el rango de 200 a 400, para el KSB810-Y estará en el rango de 120 a 240.

Versión SMD del transistor KSB810-O

El 2SA1182 (SOT-23), 2SA1182-O (SOT-23), 2SA1588 (SOT-323), 2SA1588-O (SOT-323), FJX1182 (SOT-323), FJX1182-O (SOT-323), KSA1182 (SOT-23), KSA1182-O (SOT-23), KTA1505 (SOT-23), KTA1505O (SOT-23), KTA1505S (SOT-23) y KTA1505S-O (SOT-23) es la versión SMD del transistor KSB810-O.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSB810-O

Puede sustituir el KSB810-O por el 2N4951, 2N4954, 2SA1020, 2SA1020O, 2SB598, 2SB764, KSB564AC, KSB564ACO, KSB811, KSB811-O, KTA1281, KTA1281O o KTB764.
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