Transistor bipolar BSP52T3G
Características del transistor BSP52T3G
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 90 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
- Disipación de Potencia Máxima: 1.25 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: SOT-223
- El BSP52T3G es la versión sin plomo del transistor BSP52T3
Diagrama de pines del BSP52T3G
Marcado
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BSP52T3G
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